Testaa myös transistorit, diodit ja mikroaaltodiodit
3 1/2 digit LCD, max lukema 1999
Näytteenottotaajuus 2,5/sec.
Näytön pitotoiminto
Nollapisteen säätö vastusmittauksessa
Vakiovarusteet: TL36A, testijohdot, 1 pari hauenleukaliitin, käyttöohje
Mitat: ½ -moduuli, 125(L) x 200(K) mm
Alueet Paras tarkkuus, ± (a % lukemasta + b numeroa)
Resistanssi 20 Ω 1.2 % rdg (zero säätö)
200 Ω 0.5 % rdg + 3
2 kΩ…2 MΩ 0.5 % rdg + 1
20 MΩ 2.0 % rdg + 2
Erottelukyky 10 mΩ…20 Ω alueesta
Avoin piirijännite 20 Ω alue: 6.5 V DC
200 Ω alue: 3.0 V DC
Muut alueet: 1.2 V DC
Jatkuvuus
Äänimerkki 2 kΩ alue: Ääni R < 30 Ω
Vasteaika n. 800 ms
Dioditestaus
Testivirta n. 1 mA
Testijännite 3.0 V DC ± (1.5 % rdg + 1 dgt)
Näyttö Kynnysjännite
Mikroaalto dioditestaus
Testivirta n. 0.6 mA
Testijännite 7.0 V DC tyypillinen 3.0 % rdg + 1
Näyttö Kynnysjännite
Kapasitanssi 200 pF…200 nF 1.0 % rdg + 1
2 μF…200 μF 2.0 % rdg + 1
200 μF < 1000 μF 3.0 % rdg + 3 1000 μF > 2000 μF 5.0 % rdg + 5
Testitaajuus 200 pF to 2 μF: 1000 Hz
20 μF…200 μF: 100 Hz
2000 μF: 10 Hz
Lämpötilakerroin < 0.5 μF: 0.1%/°C
0.5 μF: 0.2%/°C
Induktanssi 200 μH 5.0 % rdg + 30
2…200 mH 3.0 % rdg + 20
2 mH…200 H 5.0 % rdg + 20
Testitaajuus 200 μH… 2 H, 1000 Hz alueella
20…200 H, 100 Hz alueella
Lämpötilakerroin < 0.5 H: 0.2%/°C > 0.5 H: 0.5%/°C
Transistoritesti
hFE alue 0…1000
hFE perusvirta n. 3 μA
hFE jännite C – E n. 3.0 V DC
Iceo alue, vuotovirta 10 nA…20 μA
Ylivirtasuojaus
Resistanssi 350 V DC tai AC RMS
Kapasitanssi 0.1 A/250 V nopea sulake
Jatkuvuus 350 V DC tai AC RMS
Dioditesti 350 V DC tai AC RMS
Mikroaalto dioditesti 350 V DC tai AC RMS
Induktanssi 0.1 A/250 V nopea sulake
Teklab Oy
Puhelin: 019 536 000
Postiosoite: Länsikaari 6A, 07900 Loviisa
info@teklab.fi